ダイオード

(2014/12/25)

ダイオードには陽極(アノード)と陰極(カソード)の2つの電極がある。2つ有るからダイオードという事ですね。
ダイオードはアノードからカソードへの一方向にだけ電流を流す作用がある、これを整流作用、検波作用という。
大きさは大分違いますが、真空管でも半導体でも同じである。
私が初めて使ったダイオードは、ゲルマダイオード1N34(ゲルマラジオ)でした。

当局で使用しているのは、電源の整流やDBM(ショットキバリヤダイオード)、高周波信号のスイッチ、高周波信号の検波・整流、電圧源(定電圧ダイオード)や電流源(定電流ダイオード)、パイロットランプ(LED)や位置検出(フォトカプラ)、共振回路(バリキャップ)などです。

ダイオードにはいろんな種類があります。

現在ダイオードの規格データを入力しています、ぼちぼちやっていますのでお楽しみに!!(2016/06/25)・・・現在お休み中!!(2017/12/01)

ブリッジダイオード

ブリッジダイオード

PN接合ダイオード
PN接合には一方向にのみに電流を流しやすい性質がある、これを整流作用(整流性)という。
高耐圧や大電流の物が製造されています、高周波用には向かないようです。
1N21B

1N21B

点接触ダイオード
(2015/01/12)代表的な物にゲルマニュームダイオードがあります。針の方がアノードでゲルマニューム片の方がカソードになっています。(1N31,1N60,SD46)1N21B(左の写真)はシリコン点接触ダイオードでマイクロ波のミキサ用です。
発光ダイオード
(2015/01/12)PN 接合部に順方向に電圧をかけると電流が流れます、その時接合面付近では電子のエネルギーが再結合します。この時エネルギーが放出されます、LEDでは再結 合エネルギーが光に変換されるようにP、Nの組み合わせをします。今では赤、緑、青の光の3原色があり、これらを組み合わせることでどんな色でも表現出来 るようになりました。現在では車のヘッドライトや家庭の照明にも利用される高輝度高出力の物も実現され今後もいろいろな方面での利用が有りと思います、楽 しみですね。
定電圧ダイオード(ツェナーダイオード)
ダ イオードに逆電圧をかけても電流はほとんど流れないが、電圧を上げていくと急に電流が流れ出します、これを降伏現象と言い、この時の電圧を降伏電圧と言い ます。この降伏電圧を必要な電圧になるようにした物が定電圧ダイオードである。電源などの基準電圧として利用されています。RD7B、05Z5.6
定電流ダイオード(CRD)
FETのゲートとソースを接続したのと等価で、電圧が変化しても負荷が変化しても流れる電流が変わらない(内部抵抗が大変大きい)ダイオードである。
ショットキーバリアダイオード
(セレン整流器も仲間である)金属と半導体の接合部分での整流作用を利用したダイオードである、PN接合ダイオードでは電流の輸送が主に少数キャリアで行われるが、ショットキー接合では、多数キャリアで行われるため、高速動作に優れるという利点がある。
1SS97、1SS106
可変容量ダイオード(バリキャップ)
(2015/01/12)ダイオードに逆電圧をかけるとアノードとカソードとの間に空乏層が出来る、この空乏層の厚みは両極間の逆電圧の大きさで変化する、すなわち電圧で静電容量を可変する事が出来る。バリキャップも需要が少なくなり手に入らなくなるときが来るのかな。1SV100、1SV55
PINダイオード
アッテネーターや高周波スイッチなどに使用されている。当局は使用したことはありません。
レーザーダイオード
発光ダイオードの一種であるが、単一光を得るように共振機能を有している。
フォトダイオード
ステップリカバリダイオード
バラクタダイオード
(2015/01/12)主にU・SHFの逓倍に用いる物で、現在ではトランジスタなどの増幅素子の高性能化などによりほとんど使用されていない。昔(と言っても3~40年前のこと)のVHF・FMトランシーバーなどには良く使用されていました
鉱石検波器
これは実際には見たことも使ったこともありません、ネットや書籍などで紹介されているのを見るだけです。
SCR シリコン制御整流器
普通2端子ですがSCRは3端子です。電流を流すタイミングを制御するのです。

バリスタ

バリスタ

手持ちの主なダイオード (2015/02/23)
1SS120:シリコンエピタキシャルプレーナ形ダイオード・高速スイッチング用
絶対最大定格
頭逆電圧 VRM 70 V
逆電圧 VR 60 V
平均整流電流 IO 150 mA
せん頭順電流 IFM 450 mA
サ-ジ順電流 IFSM  1 A
許容損失 Pd 250 mW
接合部温度 Tj 175 °C
保存温度 Tstg –65~+175 °C
電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
逆電流 IR - - 0.1 μA VR = 60V
順電圧 VF - - 0.8 V IF = 10mA
端子間容量 C- -  3.0 pF VR = 1V, f = 1MHz
逆回復時間  3.5 ns IF = 10mA,
(VR = 6V, RL = 50Ω)
1N4448:高速スイッチングダイオード
絶対最大定格
頭逆電圧 VRM 75 V
逆電圧 VR 75 V
平均整流電流 IO 200 mA
せん頭順電流 IFM 450 mA
サ-ジ順電流 IFSM  1 A
許容損失 Pd 500 mW
接合部温度 Tj 200 °C
保存温度 Tstg –65~+200 °C
電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
逆電流 IR  25 nA VR = 25V
順電圧 VF  1.0 V IF = 10mA
端子間容量 C 4.0 pF VR = 0V, f = 1MHz
逆回復時間  4.0 ns IF = 10mA,
(IR = 60mA, RL = 100Ω)
1SS97:シリコンエピタキシャルショットキーバリヤダイオード UHFミキサー
逆電圧 VR 10 V
順電流 IF 35mA
許容損失 Pd 150 mW
接合部温度 Tj 150 °C
保存温度 Tstg –65~+175 °C
電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
逆電流 IR  25 nA VR = 10V
順電圧 VF  0.46~0.55V IF = 10mA
端子間容量 Ct 1.0 pF VR = 0V, f = 1MHz
1N60: 点接触型ゲルマニウムダイオード
 逆電圧 VR 25 V
順電流 IF 50mA
許容損失 Pd 50 mW
 電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
逆電流 IR  75 uA VR = 10V
順電圧 VF  1V IF =3mA
SD46: 点接触型ゲルマニウムダイオード
 逆電圧 VR 50 V
順電流 IF 30mA
許容損失 Pd 50 mW
 電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
逆電流 IR  1.5mA VR = 50V
順電圧 VF  1V IF =3mA
1S953: 高速スイッチング・シリコンエピタキシャルプレーナーダイオード
頭逆電圧 VRM 35 V
逆電圧 VR 30 V
順電流 IF 100mA
許容損失 Pd 500 mW
接合部温度 Tj 200 °C
 電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
順電圧 VF  –  0.8  1.0 V IF = 30mA
端子間容量 C –  2.0  4.0pF VR = 0V, f = 1MHz
逆回復時間  2.0  3.0 ns
(IF = 10mA, VR=6V,RL = 100Ω)
1S1588: 超高速スイッチング・シリコンエピタキシャルプレーナーダイオード
 頭逆電圧 VRM 35 V
逆電圧 VR 30 V
順電流 IF 120mA
許容損失 Pd 300 mW
接合部温度 Tj 175 °C
 電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
順電圧 VF  1.3 V IF = 100mA
端子間容量 C 3.0 pF VR = 0V, f = 1MHz
逆回復時間  4.0 ns
(IF = 10mA, VR=6V,RL = 100Ω)
VO6E:  日立
・パッケージ:  VO6C VO6E VO6G VO6J
・最大定格/VRRM 200V 400V 600V 800V
・最大定格/IFSM(50Hz): 35A ( Without PIV, 10ms conduction, Tj = 175°C start )
・最大定格/IO 1.1A (Single-phase half sine wave 180° conduction TL = 90°C, Lead length = 10mm )
・VFM(max): 1.4V
・VFM条件IFM: 1.1A
・熱抵抗Rth(j-a)(max): 80℃/W
・熱抵抗Rth(j-l)(max): 50℃/W
・逆回復時間: Trr=3μS(If=2mA Vr=-15V)
RD5.6ESB:  NEC
RD7B  NEC 金属タイプ 1w    Vz= 7V
05Z5.6

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